檢索結果:共11筆資料 檢索策略: "郭東昊".ccommittee (精準) and year="109"
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氮化鎵擁有高能隙、高電子飽和速度及高崩潰電場等優越特性,成為第三代 高頻、高功率應用元件之寬能隙半導體熱門材料。然而高功率操作下,元件產生 高溫,傳統金屬電極特性衰退,致使元件性能產生熱退化問題。因…
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本實驗研究熔融紡絲聚醯胺-11(Polyamide-11, PA11)與熱塑性聚氨酯(Polyurethane, TPU)和熱塑性聚脲(Polyurea, PUA),製備成芯鞘型與海島型纖維探討其形…
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下世代微發光二極體(Micro LED)顯示技術為追求更高解析度,LED晶粒需大幅縮小,然而當晶粒尺寸微縮時,亮度也隨之降低,增加注入電流維持顯示所需足夠亮度為最快解決方法。目前LED使用之氧化銦…
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本研究首先利用水熱法製作出特定大小的碳球,再使用溶膠凝膠法將二氧化鈰奈米顆粒包覆在碳球上,得到不同厚度的二氧化鈰殼層,並利用煆燒進一步調查二氧化鈰中空球之殼層結構。合成的樣品以X光繞射儀、拉曼光譜、…
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氮化鎵為第三代高功率半導體熱門材料,在高功率動作下,元件將被施加更高偏壓,因此,如何提升氮化鎵薄膜材料品質以及提升薄膜電阻率攸關元件能否操作在更高功率。本研究針對上述問題提出使用石墨烯介面層結構,降…
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本研究的目的有二,第一是調整次微米級二氧化鈰中空球的缺陷分布,第二是探討此種結構的物理特性。在缺陷分布的控制上,利用與檸檬酸進行水熱反應,在其上形成碳膜以及在殼層中形成碳摻雜。由X光繞射分析…
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本論文以含氮化物粉體的方式將N摻雜在IGZO前驅粉體中,並利用本實驗的真空熱壓機壓製而成N摻雜IGZO (IGZNO)靶材,經濺鍍獲得以N原子取代O原子的位置獲得N摻雜IGZO薄膜,期望藉由…
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本研究第一部分將草本來源的果皮廢棄物以水熱法結合石臼研磨法製備CNF,取代傳統成本高及耗費大量的溶劑的酸解法及 Tempo 氧化法;本研究第二部分利用濕式紡絲技術,將所製備 之CNF來強化TAC廢棄…
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結合高螢光和穩定性的藥物傳載系統在癌症治療中仍具有很高的挑戰性。在此論文中,我們成功開發了一新型基於羅丹明的超分子藥物(A-R6G),該藥物包含多重氫鍵的腺嘌呤部分,其展現出高疏水性和獨特的物理特性…
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